金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市大德激光技术有限公司申请一项名为“一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法”的专利，公开号CN119943734A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说是一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法；包括机身的上端设置有用于观测和显微放大的视觉定位机构，机身上纵向滑动设置有双劈刀对位机构，机身上设置有对单劈刀对位机构，双劈刀对位机构在单劈刀对位机构上对激光隐切后的SiC进行晶粒分离；本发明的有益效果为解决通常手掰折SiC时，作用于SiC两侧的受力点隔激光划线改质处距离时而不等，人员时而用力不均匀，导致产品不沿激光划线改质处裂开，从而造成样品崩边严重甚至破碎，极大的影响了生产良率的问题。

天眼查资料显示，深圳市大德激光技术有限公司，成立于2013年，位于深圳市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本732.9771万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市大德激光技术有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员